- Home
 - Товары
 - Фотошаблонные заготовки
 - GaN on SiC Epitaxy wafer (4”=100mm, (5-6)mkm)
 
		Вы отложили “GaN on SiC Epitaxy wafer (4”=100mm, (11-12)mkm)” в свою корзину. Просмотр корзины	
GaN on SiC Epitaxy wafer (4”=100mm, (5-6)mkm)
по запросу
Best Compound Semiconductor Co.Ltd. (China)
Заготовки шаблонов кварцевые
Best Compound Semiconductor Co.Ltd. (China)
Похожие товары
- 
		Фотошаблонные заготовки
Заготовка фотошаблона HOYA кварцевая EHQ 5009
по запросуЗаготовка фотошаблона HOYA кварцевая EHQ 5009 5Т АR3 FЕР171 –U 5″х5″х0,09″
Фотошаблонные заготовки предназначены для изготовления фотошаблонов, применяемых в технологии производства интегральных схем и других изделий микроэлектроники.
- Микросхемы интегральные (микропроцессоры и микроконтроллеры);
 - Микросхемы интегральные для бытовой техники;
 - Микросхемы интегральные для промышленной электроники;
 - Микросхемы интегральные для телевизионных приемников;
 - Микросхемы интегральные для систем связи;
 - Микросхемы интегральные запоминающих устройств;
 - Микросхемы интегральные стандартной логики.
 
 - 
		Фотошаблонные заготовки
GaN on SiC Epitaxy wafer (6”=150mm, (5-6)mkm)
по запросуBest Compound Semiconductor Co.Ltd. (China)
 - 
		Фотошаблонные заготовки
Заготовка шаблона кварцевая SBN-6025-1T-FEP171 VT SnS Technology
по запросуФотошаблонные заготовки предназначены для изготовления фотошаблонов, применяемых в технологии производства интегральных схем и других изделий микроэлектроники.
 - 
		Фотошаблонные заготовки
Заготовка шаблона кварцевая SBN- 6025-1Т-FЕР171 МЕ SnS Теchnology
по запросуФотошаблонные заготовки предназначены для изготовления фотошаблонов, применяемых в технологии производства интегральных схем и других изделий микроэлектроники.
 - 
		Фотошаблонные заготовки
GaN on SiC Epitaxy wafer (4”=100mm, (11-12)mkm)
по запросуBest Compound Semiconductor Co.Ltd. (China)
 - 
		Фотошаблонные заготовки
GaN on SiC Epitaxy wafer (6”=150mm, (11-12)mkm)
по запросуBest Compound Semiconductor Co.Ltd. (China)
 
		
			
		
		
			
		
		